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高芯科技采用先进的分子束外延材料生长和测试技术,自主拥有一条二类超晶格制冷红外探测器批产线,覆盖200多道工艺,共3000余步工序,通过了超晶格探测器科技成果鉴定,覆盖中波、长波,甚长波及双色等多个品类,整体技术指标达到国际领先水平。
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01
灵敏度高
• 量子效率高,最佳NETD低至18mK
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02
满足用户宽波段灵敏探测的需求
• 长波、双色性能优良
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03
可按照应用要求定制探测器
• 焦平面工作温度高
• 大面阵材料均匀性好,良率高
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灵敏度高
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GST417W
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GST417W
12μm

12μm
2222222222片切割制成单个红外探测器,红外技术应用于消费电子市场主要需要解决的问题就是微型化和低成本,晶圆级封装恰好能满足这一点,高芯科技的晶圆级风中外探测器已全面实现量产,多种成熟稳定晶圆级红外机芯方案将开启红外技术的多个领域。
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01
低成本实现红外功能集成
产量更高,成本更低
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02
低成本实现红外功能集成
产量更高,成本更低
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03
低成本实现红外功能集成
产量更高,成本更低





产品型号 | C330S中长波双色 | C330S长波 | C615S长波 |
敏感材料 | 二类超晶格 | ||
阵列规格 | 320x256 | 320x256 | 640x512 |
像元间距 | 30μm | 30μm | 15μm |
光谱范围 | 中波段:3.7μm ~4.8μm 长波段:7.7μm ~9.5μm | 7.7μm ~9.5μm 长波 | |
工作模式 | 快照模式工作;ITR积分模式;开窗功能;抗光晕功能 | 快照模式工作;ITR积分模式;开窗功能;抗光晕功能 | 快照模式工作;ITR积分模式和Interlace binning积分模式;开窗功能;抗光晕功能 |
电荷容量 | 中波:8.9Me-/3Me- 长波:21Me- | 36Me-/12Me- | ITR: 12.22Me-/6.67Me- Interlace & binning: 24.44Me-/13.33Me- |
电路动态范围 | 中波:≥76dB 长波:≥80dB | ≥80dB | ITR: ≥76dB Interlace & binning: ≥77dB |
输出通道 | 双波段2或8通道输出;单通道最大输出速率12Mpixel/s | 1或4通道;单通道最大输出速率6.6Mpixel/s | 4通道;单通道最大输出速率22.5Mpixel/s |
NETD | 中波≤20mK 长波≤25mK | ≤25mK(F2) | ≤30mK(F2 ITR) ≤25mK(F2 Interlace & binning) |
有效像元率 | ≥99.0% | ≥99.5% | ≥99.5% |
响应非均匀性 | ≤8% | ≤8% | ≤8% |
可配置制冷机 | RS058 | RS058 | RS058 |
稳定功耗 | <9W | <8W | <8W |
最大功耗 | <18W | <17W | <17W |
电源供应 | 24V DC | 24V DC | 24V DC |
制冷时间 | <8min | <5min30s | <5min30s |
重量 | ≤600g | ≤600g | ≤600g |
尺寸(mm) | 142x58.5x71 | 142x58.5x71 | 148x58.5x71 |
工作温度 | -45°C ~ +71°C | -45°C ~ +71°C | -45°C ~ +71°C |
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